掃描電鏡相信大家也不陌生，那么影響掃描電鏡分辨率的因素有哪些呢？下面由小編介紹下

①入射電子束束斑直徑：為SEM掃描電鏡分辨本領(lǐng)的尤限。一般熱陰尤電子槍的更小束斑直徑可縮小到6nm，場發(fā)射電子槍可使束斑直徑小于3nm。

②入射電子束在樣品中的擴展效應(yīng)：擴散程度取決于入射束電子能量和樣品原子序數(shù)的高低。入射束能量越高，樣品原子序數(shù)越小，則電子束作用體積越大，產(chǎn)生信號的區(qū)域隨電子束的擴散而增大，從而降低了分辨率。

③成像方式及所用的調(diào)制信號：當(dāng)以二次電子為調(diào)制信號時，由于其能量低(小于50 eV)，平均自由程短（10~100 nm左右），只有在表層50～100 nm的深度范圍內(nèi)的二次電子才能逸出樣品表面， 發(fā)生散射次數(shù)很有限，基本未向側(cè)向擴展，因此，二次電子像分辨率約等于束斑直徑。

當(dāng)以背散射電子為調(diào)制信號時，由于背散射電子能量比較高，穿透能力強，可從樣品中較深的區(qū)域逸出(約為有效作用深度的30％左右)。在此深度范圍，入射電子已有了相當(dāng)寬的側(cè)向擴展，所以背散射電子像分辨率要比二次電子像低，一般在500～2000nm左右。

如果以吸收電子、X射線、陰尤熒光、束感生電導(dǎo)或電位等作為調(diào)制信號的其他操作方式，由于信號來自整個電子束散射區(qū)域，所得掃描像的分辨率都比較低，一般在l000 nm或l0000nm以上不等。

上面就是小編介紹的影響掃描電鏡的分辨率的幾個因素。